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许志勇.
2020-05-15 09:17 2020 

许志勇 博士 高级工程师

电子科技大学获得学士、硕士和博士学位;2009年至2017年于肇庆市科技局从事科技项目管理和产学研合作相关工作,并作为主要研发人员参与多项国家、省部级和市级科技计划项目的研究工作,协助指导多名硕士研究生;2018年5月-2019年5月于肇庆市工业和信息化局挂职锻炼;2017年至今担任企业省部产学研科技特派员;以第一作者身份在国内外期刊公开发表研究论文9篇,其中核心期刊及被四大索引收录9篇,现为《Journal of Alloys and Compounds》、《Ceramics International》、《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》、《Materials Chemistry and Physics》等期刊审稿人。获得授权国家发明专利6件、实用新型专利8件,并全部实现许可实施;获得2017年度“肇庆市重点项目建设和重点工作先进个人奖”。


联系方式  QQ:121187506、邮箱:121187506@qq.com


主要承担课程:《电路分析基础》、《数字电路》、《电工与电子技术》等


承担科研项目

[1] 高阻低B值NTC热敏芯片用半导体陶瓷粉料研制,肇庆市科技局,2011

[2] BaFe12O19铁氧体薄膜显微结构与性能的关系研究,中央高校基金,2013

[3] 新一代XX微波部件研究,国防预研管理中心,2016

[4] 耐高温高可靠金电极NTC热敏芯片的研究(军民融合),肇庆市科技局,2019


发表论文列表

[1] Z. Y. Xu, Z. Yu, K. Sun, et al.Microstructure and magnetic properties of Sn-substituted MnZn ferrites [J]. J. Magn. Magn. Mater., 2009, 321(18): 2883-2889 (SCI)

[2] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, G. W. Zhu, et al. Effects of the oxygen partial pressure during deposition on the material characteristics and magnetic properties of BaM thin films[J]. J. Alloys. Compd., 2012, 538: 11-15 (SCI)

[3] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with an interfacial layer deposited at various substrate temperatures[J]. J. Alloys. Compd., 2013, 575: 257-262(SCI)

[4] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with different thicknesses[J]. Appl. Surf. Sci., 2013, 271: 362-368(SCI)

[5] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Effects of BaM interfacial layer on the c-axis orientation of BaM thin films deposited on thermally oxidized silicon substrates[J]. IEEE Trans. Magn., 2013, 49(7): 4226-4229(SCI)

[6] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Deposition of perpendicular c-axis oriented BaM thin films on (001) Al2O3 substrates by introducing an interfacial BaM buffer layer[J]. J. Magn. Magn. Mater., 2013, 345: 72-76 (SCI)

[7] Z. Y. Xu, Z. W. Lan, K. Sun, et al. Properties of Ba-hexaferrite thin films with different layer structures[J]. Advanced Materials Research, 2013, 774-776: 935-939(SCI)

[8] 许志勇, 余忠, 李乐中, 等. 二磨时间对MnZn铁氧体结构和磁性能的影响[J]. 压电与声光, 2010, 2: 307-310(EI)

[9] 许志勇, 余忠, 李乐中, 等. ZnO对MnZn铁氧体磁导率和损耗温度特性的影响[J]. 压电与声光, 2010, 3: 453-456(EI)


知识产权列表

[1] 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法,发明专利,授权号:ZL201210222035.0,2014

[2] c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法,发明专利,授权号:ZL201210436117.5,2015

[3] 宽温宽频低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法,发明专利,授权号:ZL201210220728.6,2015

[4] 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料及制备方法,发明专利,授权号:ZL201110215629.4,2013

[5] 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法,发明专利,授权号:ZL201310179098.7,2016

[6] 高Tc、宽温超高BsMnZn铁氧体材料及制备方法,发明专利,授权号:ZL201310092273.9,2014

[7] 一种智能卷膜机,实用新型,授权号:ZL 201820644344X,2019

[8] 一种电阻编带机,实用新型,授权号:ZL 2018206410713,2019

[9] 一种加热型流延涂覆机,实用新型,授权号:ZL 2018206443454,2019

[10] 一种排胶式箱式炉,实用新型,授权号:ZL 2018206410126,2019

[11] 一种薄膜流延机,实用新型,授权号:ZL 2018206410215,2019

[12] 一种电子元件介质膜卷膜机,授权号:ZL 2018206406027,2019


获得奖励列表

[1] “肇庆市重点项目建设和重点工作先进个人奖”,肇庆市劳动竞赛委员会,2017

[2] “肇庆市西江紧缺人才”,肇庆市人力资源和社会保障局,2017



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